Производитель Номер продукта:
IPA80R600P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA80R600P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
73 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12846744
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA80R600P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 170µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
570 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA80R600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPA80R600P7XKSA1-DG
SP001644604
448-IPA80R600P7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD8P10TM_SB82052
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FDMC86183
MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
FDU8580
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK