IPA80R650CEXKSA2
Производитель Номер продукта:

IPA80R650CEXKSA2

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPA80R650CEXKSA2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F

Инвентаризация:

459 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804965
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPA80R650CEXKSA2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 470µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA80R650

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF630NS

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

infineon-technologies

IPI147N12N3GAKSA1

MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

infineon-technologies

IPAN50R500CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220

infineon-technologies

IRFH5300TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 40A PQFN