Производитель Номер продукта:
IPA90R500C3XKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA90R500C3XKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 11A TO220
Подробное описание:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
485 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803468
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA90R500C3XKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 740µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
34W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA90R500
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP002548858
IPA90R500C3XKSA2-DG
448-IPA90R500C3XKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
IPZ60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
IRF3704STRL
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
