Производитель Номер продукта:
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPAN60R210PFD7SXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
781 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810876
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™PFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1015 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPAN60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP003235776
448-IPAN60R210PFD7SXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS60R1K0PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPAN60R125PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
