IPAN80R450P7XKSA1
Производитель Номер продукта:

IPAN80R450P7XKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPAN80R450P7XKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP

Инвентаризация:

372 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847694
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPAN80R450P7XKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 220µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
29W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPAN80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001632932
IFEINFIPAN80R450P7XKSA1
2156-IPAN80R450P7XKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252

infineon-technologies

BSS192PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

onsemi

FQD30N06TF_F080

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK