Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPAW60R180P7SXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Инвентаризация:
451 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13063919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPAW60R180P7SXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Упаковка
Tube
Состояние детали
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
26W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPAW60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPAW60R180P7SXKSA1
HTML Спецификация
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
45
Другие названия
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
SP001606072
448-IPAW60R180P7SXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STFU28N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
215
Номер части
STFU28N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPA60R180P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
484
Номер части
IPA60R180P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC097N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
BSZ070N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IPA083N10N5XKSA1
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP