Производитель Номер продукта:
IPB015N04NGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB015N04NGATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
2165 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB015N04NGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20000 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB015
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB015N04N G-DG
IPB015N04N G
IPB015N04N GDKR
IPB015N04NGATMA1CT
IPB015N04N GDKR-DG
SP000391522
IPB015N04N GTR
IPB015N04N GCT-DG
IPB015N04NGATMA1TR
IPB015N04N GCT
IPB015N04NG
IPB015N04N GTR-DG
IPB015N04NGATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9410
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IRF7353D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
BSC080N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
