Производитель Номер продукта:
IPB026N10NF2SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB026N10NF2SATMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
44 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976346
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB026N10NF2SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
StrongIRFET™ 2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
162A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 169µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7300 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB026N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
448-IPB026N10NF2SATMA1DKR
448-IPB026N10NF2SATMA1TR
SP005571706
448-IPB026N10NF2SATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V