IPB039N10N3GATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB039N10N3GATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB039N10N3GATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Инвентаризация:

29647 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064036
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB039N10N3GATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 160µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB039

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB039N10N3 GCT-ND
SP000482428
IPB039N10N3 GTR-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3GATMA1TR
IPB039N10N3 GDKR
IPB039N10N3 G
IPB039N10N3G
IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GDKR-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3GATMA1DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFB3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

infineon-technologies

IPD80R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

infineon-technologies

IPP65R600C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IPD06P004NATMA1

MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3