Производитель Номер продукта:
IPB03N03LA
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB03N03LA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
12800430
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB03N03LA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7027 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB03N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000014034
IPB03N03LAT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
BSP125 E6433
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
