Производитель Номер продукта:
IPB100N04S2L-03ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB100N04S2L-03ATMA2-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
12933453
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
fvAf
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB100N04S2L-03ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
147
Другие названия
INFINFIPB100N04S2L-03ATMA2
2156-IPB100N04S2L-03ATMA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF710B
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76432S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET