Производитель Номер продукта:
IPB100N12S305ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB100N12S305ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-1
Инвентаризация:
3839 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801003
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB100N12S305ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11570 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-1
Упаковка / Чехол
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Базовый номер продукта
IPB100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IPB100N12S305ATMA1TR
IPB100N12S305ATMA1CT
IPB100N12S305ATMA1TR
IPB100N12S305ATMA1DKR
SP001399682
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IAUS200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
