Производитель Номер продукта:
IPB120N04S401ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB120N04S401ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1863 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805523
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB120N04S401ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 140µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB120N04S4-01
IPB120N04S4-01-DG
IPB120N04S401ATMA1DKR
2156-IPB120N04S401ATMA1
SP000705700
IFEINFIPB120N04S401ATMA1
IPB120N04S401ATMA1CT
IPB120N04S401ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL2703PBF
MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
IRFSL7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
IRFB3004GPBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
