Производитель Номер продукта:
IPB120N06S4H1ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB120N06S4H1ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
12805458
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB120N06S4H1ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IPB120N06S4H1ATMA2TR
448-IPB120N06S4H1ATMA2DKR
SP001028782
448-IPB120N06S4H1ATMA2TR
IPB120N06S4H1ATMA2-DG
448-IPB120N06S4H1ATMA2CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP60R074C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220-3
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IRF7450TRPBF
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
