Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB120N08S403ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB120N08S403ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12805429
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB120N08S403ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 223µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB120N08S403ATMA1
HTML Спецификация
IPB120N08S403ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB120N08S403ATMA1TR
448-IPB120N08S403ATMA1DKR
2156-IPB120N08S403ATMA1
INFINFIPB120N08S403ATMA1
IPB120N08S403ATMA1-DG
SP000989104
448-IPB120N08S403ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IAUS200N08S5N023ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
552
Номер части
IAUS200N08S5N023ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL2505STRR
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
IRF6216PBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK