Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB120N08S404ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB120N08S404ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803651
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB120N08S404ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB120N08S404ATMA1
HTML Спецификация
IPB120N08S404ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB120N08S404ATMA1CT
SP000989094
INFINFIPB120N08S404ATMA1
448-IPB120N08S404ATMA1DKR
2156-IPB120N08S404ATMA1
IPB120N08S404ATMA1-DG
448-IPB120N08S404ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQM120N10-3M8_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
300
Номер части
SQM120N10-3M8_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.62
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IAUS165N08S5N029ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1374
Номер части
IAUS165N08S5N029ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPU60R600C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON