Производитель Номер продукта:
IPB180N10S402ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB180N10S402ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Инвентаризация:
1594 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803800
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB180N10S402ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 275µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-3
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB180N10S402ATMA1DKR
IPB180N10S402ATMA1CT
IPB180N10S402ATMA1-DG
IPB180N10S402ATMA1TR
SP001057184
INFINFIPB180N10S402ATMA1
2156-IPB180N10S402ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
IRFU4105
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
