Производитель Номер продукта:
IPB180P04P403ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB180P04P403ATMA2-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Подробное описание:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Инвентаризация:
1836 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB180P04P403ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS®-P2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 410µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17640 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-3
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB180P04P403ATMA2TR
SP002325764
448-IPB180P04P403ATMA2DKR
448-IPB180P04P403ATMA2CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
