Производитель Номер продукта:
IPB200N25N3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB200N25N3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
2210 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB200N25N3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB200N25N3GATMA1TR
IPB200N25N3 G
IPB200N25N3 GDKR-DG
IPB200N25N3 GDKR
IPB200N25N3 GTR-DG
SP000677896
IPB200N25N3 GCT-DG
IPB200N25N3G
IPB200N25N3 GCT
IPB200N25N3GATMA1CT
IPB200N25N3 G-DG
IPB200N25N3GATMA1DKR
IPB200N25N3 GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
