IPB407N30NATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB407N30NATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB407N30NATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

1181 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857952
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB407N30NATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40.7mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7180 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB407

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001273344
448-IPB407N30NATMA1CT
IPB407N30NATMA1-DG
448-IPB407N30NATMA1TR
448-IPB407N30NATMA1DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

N0602N-S19-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

onsemi

NTR4170NT3G

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK5034DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

onsemi

NTTFS4985NFTAG

MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN