Производитель Номер продукта:
IPB60R080P7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB60R080P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
12806911
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB60R080P7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 590µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
129W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R080
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R080P7ATMA1TR
IPB60R080P7ATMA1-DG
IPB60R080P7
SP001664898
IFEINFIPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1DKR
2156-IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD04N50C3T
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
TN0604N3-G-P005
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
