Производитель Номер продукта:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1265 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800409
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB60R190C6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCB20N60FTM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2398
Номер части
FCB20N60FTM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.61
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK20G60W,RVQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK20G60W,RVQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB20N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
845
Номер части
STB20N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.46
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIHB18N60E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIHB18N60E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.49
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB21N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1748
Номер части
STB21N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.31
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S208ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
