IPB60R280P7ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB60R280P7ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB60R280P7ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

1086 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802864
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB60R280P7ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 190µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
761 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R280

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R280P7ATMA1-DG
SP001664942
IPB60R280P7ATMA1DKR
IPB60R280P7ATMA1TR
IPB60R280P7ATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPU06N03LAGXK

MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

infineon-technologies

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

infineon-technologies

IRFR6215CPBF

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF2807ZSPBF

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK