Производитель Номер продукта:
IPB60R360CFD7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB60R360CFD7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
13276411
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB60R360CFD7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 140µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
679 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R360
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP002621072
448-IPB60R360CFD7ATMA1TR
448-IPB60R360CFD7ATMA1DKR
448-IPB60R360CFD7ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
IPA040N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 72A TO220
