Производитель Номер продукта:
IPB64N25S320ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB64N25S320ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
2512 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB64N25S320ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB64N25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB64N25S320ATMA1CT
2156-IPB64N25S320ATMA1TR
IPB64N25S320ATMA1TR
IPB64N25S320ATMA1DKR
SP000876596
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPC60R160C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI50R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3