Производитель Номер продукта:
IPB65R110CFD7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R110CFD7ATMA1-DG
Описание:
HIGH POWER_NEW
Подробное описание:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1871 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950244
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R110CFD7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CFD7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 480µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1942 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP005413365
448-IPB65R110CFD7ATMA1CT
448-IPB65R110CFD7ATMA1DKR
448-IPB65R110CFD7ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
IPB65R041CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPP65R190CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
