IPB65R190CFDAATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB65R190CFDAATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB65R190CFDAATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

256 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800301
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB65R190CFDAATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R190

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R190CFDAATMA1-DG
SP000928264
448-IPB65R190CFDAATMA1TR
448-IPB65R190CFDAATMA1DKR
448-IPB65R190CFDAATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FCB20N60FTM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2398
Номер части
FCB20N60FTM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.61
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

infineon-technologies

IPD060N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPC60R190E6UNSAWNX6SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPD60R380C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3