Производитель Номер продукта:
IPB65R310CFDAATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R310CFDAATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1407 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805181
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R310CFDAATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1110 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104.2W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R310
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB65R310CFDAATMA1DKR
IPB65R310CFDAATMA1-DG
448-IPB65R310CFDAATMA1CT
SP000879440
448-IPB65R310CFDAATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6635TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRFR1205TRL
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRF6637TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
