Производитель Номер продукта:
IPB65R660CFDAATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R660CFDAATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
4518 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801349
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R660CFDAATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
543 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R660
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB65R660CFDAATMA1TR
448-IPB65R660CFDAATMA1DKR
IPB65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPB65R660CFDAATMA1
448-IPB65R660CFDAATMA1CT
SP000875794
INFINFIPB65R660CFDAATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
