Производитель Номер продукта:
IPB70N04S406ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB70N04S406ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
1995 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799878
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB70N04S406ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 26µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
58W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB70N04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IFEINFIPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1DKR
2156-IPB70N04S406ATMA1
IPB70N04S406ATMA1TR
SP000711476
IPB70N04S4-06
IPB70N04S4-06-DG
IPB70N04S406ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
BSO033N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
