Производитель Номер продукта:
IPB80N06S4L07ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB80N06S4L07ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803497
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB80N06S4L07ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5680 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB80N06S4L07ATMA2CT
SP001028674
448-IPB80N06S4L07ATMA2TR
448-IPB80N06S4L07ATMA2DKR
IPB80N06S4L07ATMA2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR1205TRR
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRFH7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
IPU95R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
