Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB80P03P4L07ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB80P03P4L07ATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803352
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB80P03P4L07ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+5V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
88W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB80P03P4L07ATMA1
HTML Спецификация
IPB80P03P4L07ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000396288
448-IPB80P03P4L07ATMA1TR
IPB80P03P4L-07-DG
IPB80P03P4L07ATMA1TR-DG
2156-IPB80P03P4L07ATMA1TR
IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L07ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQM50P03-07_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2375
Номер части
SQM50P03-07_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.00
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB80P03P4L07ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1712
Номер части
IPB80P03P4L07ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.72
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IPB60R120C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRFH5303TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN