Производитель Номер продукта:
IPB80P04P405ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB80P04P405ATMA2-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Подробное описание:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
1975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979287
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB80P04P405ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS®-P2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB80P04P405ATMA2CT
448-IPB80P04P405ATMA2TR
SP002325752
448-IPB80P04P405ATMA2DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3016LFDFQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
ZVP1320FQTA
MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT23 T&
DMTH8008SFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33