Производитель Номер продукта:
IPB90N06S4L04ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
1281 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800714
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB90N06S4L04ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB90N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IPB90N06S4L04ATMA2
INFINFIPB90N06S4L04ATMA2
448-IPB90N06S4L04ATMA2CT
SP001028756
448-IPB90N06S4L04ATMA2TR
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
448-IPB90N06S4L04ATMA2DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB80P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3