Производитель Номер продукта:
IPBE65R230CFD7AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPBE65R230CFD7AATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3-10
Инвентаризация:
2421 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945089
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPBE65R230CFD7AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CFD7A
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1044 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-3-10
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Базовый номер продукта
IPBE65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IPBE65R230CFD7AATMA1TR
448-IPBE65R230CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R230CFD7AATMA1DKR
448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR
SP005344079
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
IPBE65R075CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
AONS36308
MOSFET N-CH 30V 26A/53A 8DFN
