Производитель Номер продукта:
IPC302N08N3X1SA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPC302N08N3X1SA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Подробное описание:
N-Channel 80 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Инвентаризация:
12803248
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPC302N08N3X1SA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Bulk
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 270µA
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Sawn on foil
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
IPC302N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
448-IPC302N08N3X1SA1
SP000476912
IPC302N08N3X1SA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7822TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO