Производитель Номер продукта:
IPC50N04S55R8ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Подробное описание:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Инвентаризация:
4727 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800815
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
CGvL
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPC50N04S55R8ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-33
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IPC50N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPC50N04S55R8ATMA1CT
2156-IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1TR
IPC50N04S55R8ATMA1DKR
SP001418130
INFINFIPC50N04S55R8ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB90R340C3ATMA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
IPC60R165CPX1SA4
MOSFET N-CH BARE DIE
