Производитель Номер продукта:
IPD028N06NF2SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD028N06NF2SATMA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
1948 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002605
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD028N06NF2SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
StrongIRFET™2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Ta), 139A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.85mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.3V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4600 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD028
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPD028N06NF2SATMA1TR
448-IPD028N06NF2SATMA1CT
448-IPD028N06NF2SATMA1DKR
SP005588978
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUTN06S5N008TATMA1
MOSFET_)40V 60V)
DMT12H060LCA9-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
SIHF085N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
