Производитель Номер продукта:
IPD031N03LGBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD031N03LGBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
12804138
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD031N03LGBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD031
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP000236957
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD031N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4331
Номер части
IPD031N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP45N06S409AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
IRFR120NCTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IPP80N06S2L06AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3