Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD042P03L3GBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD042P03L3GBTMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803002
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD042P03L3GBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12400 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD042P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD042P03L3GBTMA1
HTML Спецификация
IPD042P03L3GBTMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD042P03L3GBTMA1TR
IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 GTR-DG
SP000473922
IPD042P03L3 GDKR-DG
IPD042P03L3 GCT
IPD042P03L3 GCT-DG
IPD042P03L3G
IPD042P03L3 GDKR
IPD042P03L3GBTMA1CT
IPD042P03L3GBTMA1DKR
IPD042P03L3GXT
IPD042P03L3 G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD042P03L3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8592
Номер части
IPD042P03L3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
IRF7700
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
IRFU1205PBF
MOSFET N-CH 55V 44A IPAK