IPD060N03LGBTMA1
Производитель Номер продукта:

IPD060N03LGBTMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPD060N03LGBTMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Инвентаризация:

12803807
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPD060N03LGBTMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD060

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP000236948

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFR13N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

infineon-technologies

IRFB4610PBF

MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

microchip-technology

MIC94031BM4 TR

MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143

infineon-technologies

IRFH7184TRPBF

MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN