Производитель Номер продукта:
IPD068N10N3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD068N10N3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
10507 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064013
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD068N10N3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD068
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
