Производитель Номер продукта:
IPD06P002NSAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD06P002NSAUMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 35A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
12800754
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD06P002NSAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD06P
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD06P002NS
SP001863534
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD380P06NMATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20836
Номер части
IPD380P06NMATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.89
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD90N06S4L05ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
BSS138W E6327
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3