Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD15N06S2L64ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD15N06S2L64ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800397
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD15N06S2L64ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
354 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
47W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD15N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD15N06S2L64ATMA1
HTML Спецификация
IPD15N06S2L64ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
INFINFIPD15N06S2L64ATMA1
IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-DG
IPD15N06S2L64ATMA1TR
SP000252162
2156-IPD15N06S2L64ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD15N06S2L64ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4268
Номер части
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
Direct
Номер детали
PJD11N06A-AU_L2_000A1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Panjit International Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2980
Номер части
PJD11N06A-AU_L2_000A1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.13
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STD16NF06LT4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6434
Номер части
STD16NF06LT4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMNH6042SK3Q-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2143
Номер части
DMNH6042SK3Q-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB50R299CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
IPD90N06S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3