Производитель Номер продукта:
IPD170N04NGBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD170N04NGBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12803572
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD170N04NGBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD170N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD170N04NGBTMA1TR
SP000388297
IPD170N04N G-DG
IPD170N04N G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN4026SK3-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1599
Номер части
DMN4026SK3-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IRF9530NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IPW65R080CFDFKSA1
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
