Производитель Номер продукта:
IPD180N10N3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD180N10N3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
6973 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803753
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD180N10N3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD180N10N3GATMA1TR
IPD180N10N3GATMA1-DG
SP000900132
IPD180N10N3GATMA1DKR
IPD180N10N3GATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPL60R210P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
