Производитель Номер продукта:
IPD220N06L3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD220N06L3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Инвентаризация:
7934 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966856
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD220N06L3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 11µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-311
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD220N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD220N06L3GATMA1CT
448-IPD220N06L3GATMA1TR
448-IPD220N06L3GATMA1DKR
SP005559927
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
SSM3K72KFS,LXHF
AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
