Производитель Номер продукта:
IPD25N06S4L30ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Подробное описание:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
16688 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805665
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD25N06S4L30ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 8µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1220 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
29W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD25N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD25N06S4L30ATMA2TR
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
2156-IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2DKR
SP001028636
IPD25N06S4L30ATMA2CT
IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR2405TRL
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
