IPD26DP06NMSAUMA1
Производитель Номер продукта:

IPD26DP06NMSAUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPD26DP06NMSAUMA1-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V TO252-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V Surface Mount PG-TO252-3-313

Инвентаризация:

12800083
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPD26DP06NMSAUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD26DP06

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP004987236

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPL65R1K0C6SATMA1

MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK

infineon-technologies

IPB160N04S4H1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

infineon-technologies

BTS121AE3045ANTMA1

MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB

infineon-technologies

IPP05CN10NGXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3