Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD30N03S4L14ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
18945 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801248
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD30N03S4L14ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
980 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD30N03
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD30N03S4L14ATMA1
HTML Спецификация
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD30N03S4L-14DKR
IPD30N03S4L-14TR
IPD30N03S4L-14DKR-DG
2156-IPD30N03S4L14ATMA1
SP000275919
IPD30N03S4L14ATMA1TR
IPD30N03S4L-14-DG
IPD30N03S4L14ATMA1DKR
INFINFIPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-DG
IPD30N03S4L-14TR-DG
IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L-14
IPD30N03S4L14ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS87E6327T
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
IPF13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34